场效应管测试仪pcb抄板与芯片解密案例
来源:龙人计算机研究所 作者:站长 时间:2010-01-07 11:15:50
场效应管测试仪是龙人在仪器仪表设备反向解析、电路板抄板、电路板克隆、样机仿制克隆、样机制作、样机调试等反向研发领域取得的重要技术成果。
本仪器可测J型和MOS型小功率(300mW以下)场效应管(含对管)的三个常用参数:低频正向跨导Gm,饱和漏电流Idss,夹断电压Vp或开启电压。
1.工作特性
1.1额定使用条件及规格
1.1.1环境温度:0~40℃
1.1.2环境湿度:40℃ 20~90%RH
1.1.3大气压强:86~106KPa
1.1.4供电电压:220V±10% 50Hz±5%
1.1.5外电磁干扰:应避免
1.1.6阳光照射:应避免直射
1.1.7通风条件:良好
1.1.8工作位置:水平或前仰15°
1.1.9外形尺寸:340×133×300(㎜)
1.1.10重量:≈5㎏
1.1.11工作时间:连续工作8小时
1.1.12预热时间:15分钟
1.1.13消耗功率:不大于12W
1.2参数测试范围
1.2.1漏源电压VDS:±(1.5~15V)
误差:±(2%VX+1%VM)
VX--电压设定值(或读数)
VM--电压满度值
1.2.2饱和漏源电流IDSS:0~20~100mA
误差:±(2%IX+1%IM)
1.2.3夹断电压VP或开启电压VT:0~10V
误差:±(2%VX+1%VM)
测试电流IDS为:1,10,50
1.2.4低频正向跨导gm:1~20mS(扩展后为40mS)
误差:±(3%gmx+1%gmM)
测试条件VDS:1.5~15V
IDS:0~10mA
f:1000Hz 10mV
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